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Mostrando 362 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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GD150HFY120C1S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 230 A, 2 V, 746 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 230A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 38,237€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 21 |
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GD200HFY120C2S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 309A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 59,413€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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GD225HFY120C6S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 368 A, 2 V, 1.229 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 368A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 70,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
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GD300HFY120C2S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 600 A, 2 V, 2.941 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 600A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 81,732€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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GD300HFY120C6S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 480 A, 2 V, 1.613 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 480A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 94,906€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13 |
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GD400HFY120C2S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 630A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 95,894€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
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GD450HFY120C2S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 680A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 103,790€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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GD450HFY120C6S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 680A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 114,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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GD600HFY120C2S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 130,950€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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GD600HFY120C6S |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 1.09 kA, 2 V, 3.947 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 1.09kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V |
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Precio unitario: 153,260€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11 |
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IFF450B12ME4PB11BPSA1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 450 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 450A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V |
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Precio unitario: 147,440€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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IXA70I1200NA |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.8 V, 350 W, 1.2 kV, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: IGBT, IXA70I1200NA, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines Simple.
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Precio unitario: 13,396€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IXDN55N120D1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 2.3 V, 450 W, 1.2 kV, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.3V
Otros nombres: IGBT, IXDN55N120D1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 1MHZ Simple.
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Precio unitario: 19,613€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 25 |
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IXGN200N60B3 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 300 A, 1.35 V, 830 W, 600 V, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 300A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.35V
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B.
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Precio unitario: 20,409€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 15 |
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IXYN100N120B3H1 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 165 A, 2.6 V, 690 W, 1.2 kV, SOT-227B Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 165A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.6V
Otros nombres: IGBT, IXYN100N120B3H1, N-Canal, 165 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines, 5 to 30kHz Simple.
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Precio unitario: 18,576€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |