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Mostrando 362 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SKIM601MLI07E4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Cuádruple, 438 A, 1.45 V, 650 V, Module Polaridad de Transistor: NPN Cuádruple Corriente de Colector DC: 438A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V |
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Precio unitario: 255,110€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SKM100GAL12T4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 160A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM100GAL12T4, N-Canal, 160 A, 1.200 V 1 Simple.
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Precio unitario: 52,293€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7 |
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SKM100GB063D |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 130 A, 2.1 V, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 130A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM100GB063D, N-Canal, 130 A, 600 V, SEMITRANS2, 7-Pines 2 Medio puente.
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Precio unitario: 60,276€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SKM100GB125DN |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 100 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.3V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM100GB125DN, N-Canal, 100 A, 1.200 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 118,340€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 26 |
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SKM100GB12T4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 160 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 160A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM100GB12T4 , N-Canal, 160 A, 1200 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 63,244€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22 |
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SKM100GB12V |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 159 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 159A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 100A.
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Precio unitario: 100,880€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8 |
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SKM145GB066D |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 195 A, 1.45 V, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 195A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM145GB066D, N-Canal, 195 A, 600 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 67,599€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 10 |
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SKM150GAL12T4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 232A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM150GAL12T4 , N-Canal, 232 A, 1200 V, SEMITRANS2, 5-Pines Simple.
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Precio unitario: 67,603€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6 |
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SKM150GAR12T4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, SEMITRANS 2 Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 232A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM150GAR12T4 , N-Canal, 232 A, 1200 V, SEMITRANS2, 5-Pines Simple.
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Precio unitario: 67,114€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3 |
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SKM150GB12T4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 232A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM150GB12T4 , N-Canal, 232 A, 1.200 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 58,171€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 26 |
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SKM150GB12T4G |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 223 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 223A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 172A.
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Precio unitario: 135,800€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 12 |
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SKM150GB12V |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 231 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 231A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 176A.
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Precio unitario: 99,910€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SKM195GB066D |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 265 A, 1.45 V, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 265A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM195GB066D, N-Canal, 265 A, 600 V, SEMITRANS2, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 83,003€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 14 |
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SKM200GB125D |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 200 A, 3.3 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.3V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM200GB125D, N-Canal, 200 A, 1.200 V, SEMITRANS3, 3-Pines Serie.
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Precio unitario: 141,620€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2 |
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SKM200GB12E4 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 313A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.8V
Otros nombres: Módulo IGBT, SKM200GB12E4 , N-Canal, 314 A, 1200 V, SEMITRANS3, 7-Pines Serie.
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Precio unitario: 126,100€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |