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Mostrando 21776 referencias.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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10N65-LGE |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,307€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 4769 |
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12A02MH-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -12 V, 450 MHz, 600 mW, -1 A, 300 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -12V Frecuencia de Transición ft: 450MHz
Otros nombres: Transistor, 12A02MH-TL-E, PNP 1 A 12 V HFE:300 MCPH, 3 pines, 450 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,042€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5819 |
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12N65-LGE |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 4264 |
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15C01M-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 15 V, 330 MHz, 300 mW, 700 mA, 300 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 330MHz
Otros nombres: Transistor, 15C01M-TL-E, NPN 700 mA 15 V MCP, 3 pines, 330 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,039€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5535 |
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15C02CH-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 15 V, 400 MHz, 700 mW, 1 A, 300 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 15V Frecuencia de Transición ft: 400MHz
Otros nombres: Transistor, 15C02CH-TL-E, NPN 1 A 15 V CPH, 3 pines, 400 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,055€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3680 |
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1HN04CH-TL-W |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 270 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 270mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,168€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1938 |
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1HP04CH-TL-W |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -170 mA, -100 V, 18 ohm, -10 V, -2.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -170mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V |
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Precio unitario: 0,138€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2699 |
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1MBI1600U4C-170 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N Doble, 2.4 kA, 2.47 V, 9.76 kW, 1.7 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Colector DC: 2.4kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.47V |
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Precio unitario: 561,630€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBI400V-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 480 A, 1.2 kV, 2.4 kW, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 480A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.
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Precio unitario: 100,880€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBI600V-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 720 A, 1.2 kV, 3 kW, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 720A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi600V-120-50, Único, 600 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.
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Precio unitario: 91,209€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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1MBI900V-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.04 kA, 1.2 kV, 4.3 kW, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.04kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Otros nombres: Módulo IGBT, 1MBi900V-120-50, Único, 900 MHZ, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines.
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Precio unitario: 150,350€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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2395 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 5,539€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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287-12000 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Corriente de Colector DC: 8A |
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Precio unitario: 4,443€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 497 |
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287-12002 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: PNP Frecuencia de Transición ft: 250MHz Corriente de Colector DC: 200mA |
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Precio unitario: 2,054€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 454 |
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2ASC-12A1HP |
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Fabricado por:
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Otros nombres: Placa de evaluación Driver de puerta MOSFET Microchip High Performance SiC Gate Driver Core - 2ASC-12A1HP.
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Precio unitario: 92,373€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |