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| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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3N201 |
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Fabricado por:
DUAL GATE MOSFET, N CHANNEL, TO-72-4 Polaridad de Transistor: Dual N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 50mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 25VDC |
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Precio unitario: 10,719€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 41 |
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50A02CH-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -50 V, 690 MHz, 700 mW, -500 mA, 200 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Frecuencia de Transición ft: 690MHz
Otros nombres: Transistor, 50A02CH-TL-E, PNP 500 mA 50 V CPH, 3 pines, 690 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,072€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1580 |
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50A02MH-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -50 V, 690 MHz, 600 mW, -500 mA, 200 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Frecuencia de Transición ft: 690MHz
Otros nombres: Transistor, 50A02MH-TL-E, PNP 500 mA 50 V MCPH, 3 pines, 690 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,061€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1240 |
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50A02SS-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, -50 V, 690 MHz, 200 mW, -400 mA, 200 hFE Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Frecuencia de Transición ft: 690MHz |
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Precio unitario: 0,041€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3199 |
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50C02CH-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 500 MHz, 700 mW, 500 mA, 300 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 500MHz
Otros nombres: Transistor, 50C02CH-TL-E, NPN 500 mA 50 V CPH, 3 pines, 1 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,058€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2411 |
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50C02SS-TL-E |
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Fabricado por:
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 50 V, 500 MHz, 200 mW, 400 mA, 300 hFE Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 50V Frecuencia de Transición ft: 500MHz
Otros nombres: Transistor, 50C02SS-TL-E, NPN 400 mA 50 V SSFP, 3 pines, 1 MHz, Simple.
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Precio unitario: 0,042€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7782 |
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5LN01C-TB-E |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 100 mA, 50 V, 6 ohm, 4 V, 1.3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 100mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 50V |
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Precio unitario: 0,050€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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62CA2 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 60,682€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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62CA4 |
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Fabricado por:
Module: gate driver adapter; 1.7kV; Works with: ASBK-014
Otros nombres: ADAPTADOR NÚCLEO 1.7KV 62MM, CONTROL SIC, Placa de adaptador Driver de puerta MOSFET Microchip 62CA4 - 1700V 62MM ADAPTER - 62CA4.
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Precio unitario: 61,314€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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62EM1-00001 |
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Fabricado por:
Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
Otros nombres: Placa de evaluación Driver de puerta MOSFET Microchip SiC Gate Driver Board - 62EM1-00001.
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Precio unitario: 157,766€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6HP04MH-TL-W |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -370 mA, -60 V, 3.1 ohm, -10 V, -2.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -370mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V |
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Precio unitario: 0,077€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 506 |
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6MBP25VAA-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 2.1 V, 166 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.1V
Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 6MBP25VAA-120-50, Trifásico, 25 A, 1.200 V, N-Canal, P 629, 20-Pines.
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Precio unitario: 49,887€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 37 |
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6MBP30RH-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 2.7 V, 85 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.7V |
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Precio unitario: 48,917€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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6MBP50VAA-060-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 2 V, 192 W, 600 V, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V
Otros nombres: Módulo de potencia inteligente, 6MBP50VAA-060-50, Trifásico, 50 A, 600 V, N-Canal, P 629, 20-Pines.
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Precio unitario: 54,611€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 49 |
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7MBR50VB-120-50 |
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Fabricado por:
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V
Otros nombres: Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico.
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Precio unitario: 104,760€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 27 |