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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
A1C15S12M3-F
A1C15S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 15 A, 1.95 V, 142.8 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 15A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2420.

Precio unitario: 27,480€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
A1P25S12M3
A1P25S12M3

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2421.

Precio unitario: 25,181€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3
A1P25S12M3-F
A1P25S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2423.

Precio unitario: 25,734€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
A1P35S12M3-F
A1P35S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2426.

Precio unitario: 28,877€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 12
A1P50S65M2
A1P50S65M2

Fabricado por: STMicroelectronics

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x3; 208W

Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 50 A, 1.95 V, 208 W, 650 V, Module.

Precio unitario: 32,204€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
A2C25S12M3
A2C25S12M3

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2425.

Precio unitario: 36,317€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 4
A2C25S12M3-F
A2C25S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 25 A, 1.95 V, 197 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 25A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2433.

Precio unitario: 37,840€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
A2C35S12M3
A2C35S12M3

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2432.

Precio unitario: 36,045€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
A2C35S12M3-F
A2C35S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2430.

Precio unitario: 36,618€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 14
A2I25D025NR1
A2I25D025NR1

Fabricado por: Nxp

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 65 V, 3.2 W, 2100 MHz, 2900 MHz, TO-270WB

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 65V Disipación de Potencia Pd: 3.2W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 2100MHz

Precio unitario: 27,451€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 495
A2P75S12M3-F
A2P75S12M3-F

Fabricado por: Stmicroelectronics

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 75 A, 1.95 V, 454.5 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 75A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Otros nombres: IGBT2427.

Precio unitario: 50,847€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2
AA104-73LF
AA104-73LF

Fabricado por: Skyworks Solutions

Transistores FET de RF

Transistor FET de RF, 300 kHz, 2.5 GHz, SOT-23

Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 300kHz Frecuencia Máx. de Funcionamiento: 2.5GHz Encapsulado del Transistor RF: SOT-23

Precio unitario: 1,242€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
ADA114YUQ-13
ADA114YUQ-13

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Bipolares Prepolarizados / Digitales

Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, PNP Doble, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 Relación

Polaridad de Transistor Digital: PNP Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Corriente Continua de Colector Ic: -100mA

Otros nombres: Transistor digital ADA114YUQ-13, PNP, 100 mA 50 V 10 kΩ SOT-363 (SC-88), 6 pines Dual.

Precio unitario: 0,049€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 8281
ADTA114EUAQ-13
ADTA114EUAQ-13

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Bipolares Prepolarizados / Digitales

Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, PNP Simple, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Relación

Polaridad de Transistor Digital: PNP Simple Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Corriente Continua de Colector Ic: -100mA

Otros nombres: Transistor digital, ADTA114EUAQ-13, PNP -50 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, Simple.

Precio unitario: 0,024€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 9212
ADTA144ECAQ-13
ADTA144ECAQ-13

Fabricado por: Diodes Inc.

Transistores Bipolares Prepolarizados / Digitales

Transistor Dig / Prepolarizado Bipolar, PNP Simple, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Relación

Polaridad de Transistor Digital: PNP Simple Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -50V Corriente Continua de Colector Ic: -100mA

Otros nombres: Transistor digital, ADTA144ECAQ-13, PNP -50 V SOT-23, 3 pines, Simple.

Precio unitario: 0,019€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5914